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RN1109MFV分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

RN1109MFV
厂商型号

RN1109MFV

参数属性

RN1109MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

功能描述

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)

封装外壳

SOT-723

文件大小

468.41 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 18:52:00

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RN1109MFV规格书详情

Applications

• Switching

• Inverter Circuits

• Interfacing

• Driver Circuits

Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) Ultra-small package, suited to very high density mounting

(3) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce

system size and assembly time.

(4) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.

(5) Complementary to RN2107MFV to 2109MFV

产品属性

  • 产品编号:

    RN1109MFV,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    VESM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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