RN1109MFV分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
RN1109MFV |
参数属性 | RN1109MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
功能描述 | Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor) |
封装外壳 | SOT-723 |
文件大小 |
468.41 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
中文名称 | 株式会社东芝官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-25 18:52:00 |
人工找货 | RN1109MFV价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
RN1109MFV规格书详情
Applications
• Switching
• Inverter Circuits
• Interfacing
• Driver Circuits
Features
(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)
(2) Ultra-small package, suited to very high density mounting
(3) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce
system size and assembly time.
(4) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.
(5) Complementary to RN2107MFV to 2109MFV
产品属性
- 产品编号:
RN1109MFV,L3F
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 10mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 500µA,5mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-723
- 供应商器件封装:
VESM
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
96000 |
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TOSHIBA |
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SOT-523 |
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