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RN1106MFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN2106MFV\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN1106MFV	文件：205.25 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：205.25 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1106MFV,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F(CT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3XHF(CT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Package name：
SOT-723 (VESM)
Width×Length×Height(mm)：
1.2 x 1.2 x 0.5
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Polarity：
NPN
Internal Connection：
Single
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
47
Q1VCEO (Max)(V)：
50
Q1IC (Max)(A)：
0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	RN1106MFV	TOSHIBA	2016+	SOT723	3000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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更多RN1106MFV供应商更新时间2026-1-19 22:58:00

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