RN1106ACT数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

厂商型号 |
RN1106ACT |
参数属性 | RN1106ACT 封装/外壳为SC-101,SOT-883;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 |
功能描述 | Bias resistor built-in transistor (BRT) |
封装外壳 | SC-101,SOT-883 |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-14 23:01:00 |
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RN1106ACT规格书详情
描述 Description
Application Scope:General-purpose
Polarity:NPN
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN2106ACT
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
特性 Features
Collector Current IC 0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO 50 V
技术参数
- 产品编号:
RN1106ACT(TPL3)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 10mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
150mV @ 250µA,5mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-101,SOT-883
- 供应商器件封装:
CST3
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
有强/YQ |
24+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT723 |
3000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
423 |
80000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
20+ |
SOT-883CS |
100 |
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TOSHIBA |
24+/25+ |
150000 |
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TOSHIBA |
ROHS+Original |
NA |
8000 |
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子 |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
NA |
8000 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
22+23+ |
423 |
8000 |
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询价 | ||
SOT-523 |
23+ |
NA |
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TOSHIBA |
25+23+ |
SOT723 |
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