RN1105中文资料Bias resistor built-in transistor (BRT)数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
RN1105 |
| 参数属性 | RN1105 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=2.2K |
| 功能描述 | Bias resistor built-in transistor (BRT) |
| 封装外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-24 16:08:00 |
| 人工找货 | RN1105价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
RN1105三极管、RN1105晶体管、RN1105晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+R
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
DTC123JE,
- 最大耗散功率：
0.1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.1
RN1105规格书详情
描述 Description
Application Scope：General-purpose
Polarity：NPN
Internal Connection：Single
Complementary Product：RN2105
AEC-Q101：Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本 / 泰国
特性 Features
Collector Current IC 0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO 50 V
技术参数
- 制造商编号
：RN1105
- 生产厂家
：Toshiba
- Package name
：SOT-416 (SSM)
- Width×Length×Height(mm)
：1.6 x 1.6 x 0.7
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Polarity
：NPN
- Internal Connection
：Single
- Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)
：2.2
- Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)
：47
- Q1VCEO (Max)(V)
：50
- Q1IC (Max)(A)
：0.1
- AEC-Q101
：Qualified(*)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
25+23+ |
New |
37202 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
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SOT723 |
20000 |
16000 |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
25000 |
一级专营品牌全新原装热卖 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
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TOSHIBA(东芝) |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOD-723 |
30000 |
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询价 |
