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RN1101CT

Bias resistor built-in transistor (BRT)

Application Scope:General-purpose\nPolarity:NPN\nInternal Connection:Single\nComplementary Product:RN2101CT\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available Collector Current IC 0.05 A \nCollector-emitter voltage VCEO 20 V ;

Toshiba

东芝

RN1101MFV

Bias resistor built-in transistor (BRT)

Application Scope:General-purpose\nPolarity:NPN\nInternal Connection:Single\nComplementary Product:RN2101MFV\nAEC-Q101:Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;

Toshiba

东芝

RN1101,LXHF(CT

Package:SC-75,SOT-416;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

Package:SC-101,SOT-883;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

Package:SC-101,SOT-883;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

  • Package name:

    SOT-416 (SSM)

  • Width×Length×Height(mm):

    1.6 x 1.6 x 0.7

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Polarity:

    NPN

  • Internal Connection:

    Single

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ):

    4.7

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ):

    4.7

  • Q1VCEO (Max)(V):

    50

  • Q1IC (Max)(A):

    0.1

  • AEC-Q101:

    Qualified(*)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
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更多RN1101供应商 更新时间2025-11-29 9:05:00