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RMP20N50T2	文件：1.50495 Mbytes Page：7 Pages	丝印：20N50；Package：TO-220；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dvidt capability 100% avalanche energy test 文件：1.50495 Mbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP20N50T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RMPA1965	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	FAIRCHILDSEMICONDUCTOR 上传：深圳市天卓伟业电子有限公司	FAIRCHILDSEMICONDUCTOR
RMS-30+	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	Mini-circuits 上传：深圳市益中天科技发展有限公司	Mini-circuits

技术参数

Id @ 25C (A)：
20 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
230 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
51 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
260 W
Input Capacitance (Ciss)：
2410 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-220

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更多RMP20N50T2供应商更新时间2026-2-3 19:10:00

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