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RMHE41A184AGBG	文件：644.4 Kbytes Page：52 Pages	1.1G-BIT Low Latency DRAM-III Common I/O Burst Length of 4 文件：644.4 Kbytes 页数：52 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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RMHE41A184AGBG	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.1G-BIT Low Latency DRAM-III Common I/O Burst Length of 4	Renesas 瑞萨	Renesas
RMHE41A184AGBG-120	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memory	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

密度 (MB)：
1100
架构：
Low Latency DRAM-III
功能：
Common I/O
突发长度 (字)：
4
数据宽度 (位)：
18
最大频率 (MHz)：
800
最小频率 (MHz)：
400
tRC (ns)：
13.75
工作温度 (degC)：
Tc=-0 to 95
I/O电压 (V)：
1.0/1.2
生产状态：
Mass Production

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更多RMHE41A184AGBG供应商更新时间2026-2-1 21:19:00

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