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RMD8P20S8	文件：805 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2317SD；Package：SOP-8；P-Channel Power MOSFET General Features Vds =-20V,Ip =-8A Rds(on) 文件：805 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMD8P20S8	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
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RMLV0816BGBG-4S2#AC0	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS(瑞萨)/IDT TFBGA-48(7.5x8.5)	RENESAS(瑞萨)/IDT 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	RENESAS(瑞萨)/IDT

技术参数

Id @ 25C (A)：
8.0 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
17 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
19.5 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
3 W
Vgs(th) (typ)：
0.65 V
Input Capacitance (Ciss)：
1730 pF
Polarity：
P-Channel
Mounting Style：
SMD/SMT
Package / Case：
SOP-8

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