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RMD2714S8

丝印:2714SD;Package:SOP-8;N and P-Channel Enhancement Mosfet

Feature N-Channel Vdd=40V Id=10A Rds on,

文件:1.03046 Mbytes 页数:9 Pages

RECTRON

丽正国际

RMD2714S8(N)

MOSFET

Rectron

丽正国际

RMK-3-451+

Mini-circuits
SMD

Mini-circuits

RMK-5-51+

MINI
SMD

RMLV0816BGBG-4S2#AC0

RENESAS(瑞萨)/IDT
TFBGA-48(7.5x8.5)

RENESAS(瑞萨)/IDT

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

RENESAS(瑞萨)/IDT

技术参数

  • Id @ 25C (A):

    10.0 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    17 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    11 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    4 W

  • Vgs(th) (typ):

    1.6 V

  • Input Capacitance (Ciss):

    1050 pF

  • Polarity:

    N-Channel

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Package / Case:

    SOP-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RMD2714S8供应商 更新时间2025-10-10 9:50:00