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RMD2060S6

丝印:D2060;Package:SOT23-6L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS = 20V,ID = 2.8A RDS(ON)

文件:1.0384 Mbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

RMD2060S6

MOSFET

Rectron

丽正国际

RMK-3-451+

SMD

Mini-circuits

RMK-5-51+

SMD

RMLV0816BGBG-4S2#AC0

TFBGA-48(7.5x8.5)

RENESAS(瑞萨)/IDT

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

RENESAS(瑞萨)/IDT

技术参数

  • Id @ 25C (A):

    2.8 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    45 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    2.7 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    0.77 W

  • Vgs(th) (typ):

    0.7 V

  • Input Capacitance (Ciss):

    184 pF

  • Polarity:

    N-Channel

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Package / Case:

    SOT-23-6L

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更多RMD2060S6供应商 更新时间2025-12-24 9:50:00