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DMN31D4UFZ	文件：721.22 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
KUWTN-31D4	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWTN-31D4SLASHQ	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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制造商上传企业

LOGO

DMN31D4UFZ

文件：721.22 Kbytes

Page：7 Pages

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

KUWTN-31D4

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Page：6 Pages

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MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

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