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SI9926BDY	文件：499.88 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI9926BDY	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926BDY	文件：182.97 Kbytes Page：3 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectrical characteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuit modelisextractedandoptimizedoverthe−55to125°C temperaturerangesunderthepulsed0to5Vgatedrive.The saturatedoutputimpedanceisbest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926BDY	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETS •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926BDY-HF	文件：525.24 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI9926CD	文件：258.38 Kbytes Page：10 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI9926CDY	文件：255.75 Kbytes Page：10 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926CDY	文件：1.33306 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SI9926CDY	文件：200.99 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100UIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •DC/DCconverter -Gamemachine -PC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926DY	文件：85.4 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-Channel2.5VspecifiedMOSFETsuseFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features •6.5A,20V.RDS(ON)=0.030Ω@VGS=4.5VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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