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RM95N65T2中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM95N65T2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

95N65

封装外壳

TO-220-3L

文件大小

430.16 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 14:02:00

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RM95N65T2规格书详情

General Feature

VDS =65V,ID =95A

RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized Avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

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