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RM8233D23

丝印:8233;Package:DFN2X3-6L;Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Surface-mounted package Advanced trench cell design Extremely low threshold voltage ESD:2KV BV ≧ 20 V Ptot ≦ 16 W Id ≦ 15 A RDS(ON) ≦ 5.5 mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) ≦ 5.8 mΩ @ VGS = 3.9 V RDS(ON) ≦ 8.5 mΩ @ VGS = 2.5 V

文件:1.45232 Mbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

RM8233D23

MOSFET

Rectron

丽正国际

RM9003A(RM9003B)

RM/亚成微
ESOP8、TO252、SOT89-3

RM/亚成微

RMC1/16S-470JTHIC

KAMAYA
SMD

kamaya

釜屋电机

上传:深圳台格电子科技有限公司

RMC1/16SK1501FTH

KAMAYA
SMD

kamaya

釜屋电机

上传:深圳台格电子科技有限公司

技术参数

  • Id @ 25C (A):

    15 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    5.0 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    15 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    16 W

  • Input Capacitance (Ciss):

    938 pF

  • Polarity:

    Dual N-Channel

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Package / Case:

    DFN2x3-6L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
CDIP
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DIP
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更多RM8233D23供应商 更新时间2025-10-7 13:31:00