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RM80N30LD中文资料RECTRON数据手册PDF规格书

RM80N30LD
厂商型号

RM80N30LD

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

80N30

封装外壳

TO-252-2L

文件大小

323.36 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Rectron Semiconductor
企业简称

RECTRON

中文名称

Rectron Semiconductor官网

原厂标识
RECTRON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 13:00:00

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RM80N30LD规格书详情

General Features

VDS =30V,ID =80A

RDS(ON) <6.5mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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