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RM80N30LD中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM80N30LD

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

80N30

封装外壳

TO-252-2L

文件大小

323.36 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 10:17:00

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RM80N30LD规格书详情

General Features

VDS =30V,ID =80A

RDS(ON) <6.5mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

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