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RM80N100T2中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM80N100T2

功能描述

N-Channel Super Trench Power MOSFET

丝印标识

80N100

封装外壳

TO-220-3L

文件大小

276.1 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

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数据手册

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更新时间

2025-10-12 12:14:00

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RM80N100T2规格书详情

General Features

VDS =100V,ID =80A

RDS(ON) =7.2mΩ(typical) @ VGS=10V

RDS(ON) =9.5mΩ(typical) @ VGS=4.5V

Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)

Very low on-resistance RDS(on)

175 °C operating temperature

Pb-free lead plating

100% UIS tested

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