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RM6N100S4中文资料RECTRON数据手册PDF规格书

RM6N100S4
厂商型号

RM6N100S4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

6N100

封装外壳

SOT-223-3L

文件大小

399.7 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Rectron Semiconductor
企业简称

RECTRON

中文名称

Rectron Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 11:06:00

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RM6N100S4规格书详情

General Features

VDS = 100V,ID = 6A

RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=10V (Typ:110mΩ)

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

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