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RM66N200T2	文件：482.83 Kbytes Page：5 Pages	丝印：66N200；Package：TO-220；N-Channel Trench MOSFET Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available VDS>>200V RDS(ON) 文件：482.83 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM66N200T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM7065C-600R	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	PMC 上传：深圳市恒达亿科技有限公司	PMC
RM9003A(RM9003B)	文件：0 bytes Page：0 Pages	ESOP8、TO252、SOT89-3	RM/亚成微上传：深圳市华钻电子有限公司	RM/亚成微
RMC1/16S-470JTHIC	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	kamaya 釜屋电机上传：深圳台格电子科技有限公司	kamaya

技术参数

Id @ 25C (A)：
66 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
28 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
105 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
265 W
Vgs(th) (typ)：
3.7 V
Input Capacitance (Ciss)：
5051 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RM66N200T2供应商更新时间2025-10-16 15:01:00

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