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技术参数

输出功率：
4W
负载电阻：
3.6Ω
控制方式：
MIPI
VDD电压：
3.2V-5V
效率：
≥80%(Vin = LTE 40M @ 1W，PAPR4.5dB
封装形式：
BGA-36
典型应用：
无人机/智能手机/手持式无线设备/电池供电类RF器件

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更多RM61O2F1A1S供应商更新时间2025-12-22 16:32:00

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