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RM60N150DF	文件：196.9 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1315；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Super Trench Power MOSFET General Features VDS =150V,ID =60A RDS(ON) 文件：196.9 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM60N150DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
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技术参数

Id @ 25C (A)：
60.0 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
13 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
30.5 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
140 W
Input Capacitance (Ciss)：
2881 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
SMD/SMT
Package / Case：
DFN5X6

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