RM50P30D3中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

厂商型号	RM50P30D3
功能描述	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
丝印标识	50P30
封装外壳	DFN3X3
文件大小	264.59 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	RECTRON
中文名称	丽正国际
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更新时间	2025-10-31 18:21:00
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General Features

VDS =-30V,ID =-50A

RDS(ON) <8.7mΩ @VGS =-10V

RDS(ON) <13.5mΩ @VGS =-4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

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