RM50N60IP中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

厂商型号	RM50N60IP
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
丝印标识	50N60
封装外壳	TO-251
文件大小	484.88 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	RECTRON
中文名称	丽正国际
网址	网址
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更新时间	2025-12-13 22:50:00
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General Features

VDS =60V,ID =50A

RDS(ON) <20mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

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