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RM50HG-12S

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

HIGHSPEEDSWITCHINGUSENON-INSULATEDTYPE •IDCDCcurrent..................................50A •VRRMRepetitivepeakreversevoltage................600V •trrReverserecoverytime.............0.2µs •ONEARM •Non-InsulatedType APPLICATION Forsnubbercircuit(IPMorIGBTmo

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

RM50HG-12S

Super Fast Recovery Single Diode (50 Amperes/600 Volts)

Description: PowerexSuperFastRecoveryDiodesaredesignedforuseinapplicationsrequiringfastswitching. Features: □Non-IsolatedPackage □PlanarChips □trr=200nsMax. Applications: □SnubberCircuits □SwitchingPowerSupplies □FreeWheeling

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

RM50HG-12S

FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

HIGHSPEEDSWITCHINGUSENON-INSULATEDTYPE •IDCDCcurrent..................................50A •VRRMRepetitivepeakreversevoltage................600V •trrReverserecoverytime.............0.2µs •ONEARM •Non-InsulatedType APPLICATION Forsnubbercircuit(IPMorIGBTmo

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

RM50HG-12S_01

FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

HIGHSPEEDSWITCHINGUSENON-INSULATEDTYPE •IDCDCcurrent..................................50A •VRRMRepetitivepeakreversevoltage................600V •trrReverserecoverytime.............0.2µs •ONEARM •Non-InsulatedType APPLICATION Forsnubbercircuit(IPMorIGBTmo

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

RM50HG-12S

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

RM50HG-12S_09

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

RM50HG-12S

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 50A TO264-3

PowerexIncPowerex, Inc

鑫鸿鑫鸿电子

产品属性

  • 产品编号:

    RM50HG-12S

  • 制造商:

    Powerex Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    50A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 50A TO264-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RM50HG供应商 更新时间2025-7-17 17:06:00