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RM50HG-12S

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

HIGHSPEEDSWITCHINGUSENON-INSULATEDTYPE •IDCDCcurrent..................................50A •VRRMRepetitivepeakreversevoltage................600V •trrReverserecoverytime.............0.2µs •ONEARM •Non-InsulatedType APPLICATION Forsnubbercircuit(IPMorIGBTmo

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi

RM50HG-12S

Super Fast Recovery Single Diode (50 Amperes/600 Volts)

Description: PowerexSuperFastRecoveryDiodesaredesignedforuseinapplicationsrequiringfastswitching. Features: □Non-IsolatedPackage □PlanarChips □trr=200nsMax. Applications: □SnubberCircuits □SwitchingPowerSupplies □FreeWheeling

POWEREX

POWEREX

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RM50HG-12S

FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

HIGHSPEEDSWITCHINGUSENON-INSULATEDTYPE •IDCDCcurrent..................................50A •VRRMRepetitivepeakreversevoltage................600V •trrReverserecoverytime.............0.2µs •ONEARM •Non-InsulatedType APPLICATION Forsnubbercircuit(IPMorIGBTmo

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi

RM50HG-12S

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi

RM50HG-12S

包装:散装 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 50A TO264-3

Powerex Inc.Powerex, Inc

鑫鸿鑫鸿电子

Powerex Inc.

RM50HG-12S_01

FAST RECOVERY DIODE MODULES HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

HIGHSPEEDSWITCHINGUSENON-INSULATEDTYPE •IDCDCcurrent..................................50A •VRRMRepetitivepeakreversevoltage................600V •trrReverserecoverytime.............0.2µs •ONEARM •Non-InsulatedType APPLICATION Forsnubbercircuit(IPMorIGBTmo

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi

RM50HG-12S_09

HIGH SPEED SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE

MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi

产品属性

  • 产品编号:

    RM50HG-12S

  • 制造商:

    Powerex Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    50A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 50A TO264-3

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更多RM50HG-12S供应商 更新时间2024-4-24 17:26:00