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RM500N80TL

丝印:TBD;Package:TOLL-8L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Surface-mounted package Advanced trench cell design Super Trench MSL1 Tj max 175℃ BV ≥ 80V Ptot ≤ 450 W ID ≤ 500 A RDS(ON) ≤ 0.85 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) ≤ 1.25 mΩ @ VGS = 6 V

文件:164.59 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

RM500N80TL

MOSFET

Rectron

丽正国际

RM60DZ-24

专业模块

MITSUBI

RM6203

DIP-8

亚成微

RM621A

DIP-16

RM

技术参数

  • Id @ 25C (A):

    500 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    0.7 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    388 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    450 W

  • Input Capacitance (Ciss):

    20427 pF

  • Polarity:

    N-Channel

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Package / Case:

    TOLL-8L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RM500N80TL供应商 更新时间2026-1-25 10:02:00