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RM47N600T2	文件：456.22 Kbytes Page：7 Pages	Power Field Effect Transistor FEATURES Robust High Voltage Termination Avalanche Energy Specified Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits loss and Vos(on) Specified at Elevated Temperature. Isolated Mounting Hole Reduces Mounting 文件：456.22 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
RM47N600T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正	Rectron
RM48L540DPGETR	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂封装	TI/德州仪器上传：深圳市腾胜芯科技有限公司	TI/德州仪器
RM4TR32	文件：0 bytes Page：0 Pages	直插	施耐德上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	施耐德
RM60DZ-24	文件：0 bytes Page：0 Pages	专业模块	MITSUBI 上传：谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	MITSUBI

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