Power Field Effect Transistor

FEATURES Robust High Voltage Termination Avalanche Energy Specified Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits loss and Vos(on) Specified at Elevated Temperature. Isolated Mounting Hole Reduces Mounting

文件：456.22 Kbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丽正国际

MOSFET

Rectron

丽正国际

原厂封装

TI/德州仪器

上传：深圳市腾胜芯科技有限公司

直插

施耐德

上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司

专业模块

MITSUBI

上传：谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司