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RM45N600T2

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES Robust High Voltage Termination Avalanche Energy Specified Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in BridgeCircuits IDSS and VDS(on) Specified at ElevatedTemperature Isolated Mounting Hole Reduces Mounting Har

文件:539.48 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

RM48L540DPGETR

TI/德州仪器
原厂封装

TI/德州仪器

上传:深圳市腾胜芯科技有限公司

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RM4TR32

施耐德
直插

施耐德

RM60DZ-24

MITSUBI
专业模块

MITSUBI

RM6203

亚成微
DIP-8

亚成微

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更多RM45N600T2供应商 更新时间2025-10-12 11:06:00