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RM450N100TL	文件：294.66 Kbytes Page：8 Pages	丝印：TBD；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Surface-mounted package Advanced trench cell design Super Trench MSL1 BV ≥ 100V Ptot ≤ 500 W ID ≤ 450 A RDS(ON) ≤ 1.25 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) ≤ 1.85 mΩ @ VGS = 6 V 文件：294.66 Kbytes 页数：8 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM450N100TL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
DAMH450N100	文件：558.97 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：558.97 Kbytes 页数：5 Pages	DACO 罡境电子	DACO
DAMI450N100	文件：531.27 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：531.27 Kbytes 页数：5 Pages	DACO 罡境电子	DACO

技术参数

Id @ 25C (A)：
450 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
1.05 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
284 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
500 W
Input Capacitance (Ciss)：
13766 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
SMD/SMT
Package / Case：
TOLL-8L

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更多RM450N100TL供应商更新时间2026-1-25 11:08:00

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