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RM35P100LD	文件：1.66788 Mbytes Page：7 Pages	丝印：35P100；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mosfet Features -100V,-35A RDS（ON）文件：1.66788 Mbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM35P100LD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
TCH35P100RJE	文件：333.22 Kbytes Page：2 Pages	Very Low Inductance Design 文件：333.22 Kbytes 页数：2 Pages	OHMITE	OHMITE
TCH35P100RJE	文件：157.24 Kbytes Page：1 Pages	35 Watt TO220 Package Thick Film Power 文件：157.24 Kbytes 页数：1 Pages	OHMITE	OHMITE
TDH35P100RJE	文件：357.18 Kbytes Page：2 Pages	SMD - DPAK package configu-ration 文件：357.18 Kbytes 页数：2 Pages	OHMITE	OHMITE

技术参数

Id @ 25C (A)：
35 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
40 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
40 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
140 W
Vgs(th) (typ)：
1.6 V
Input Capacitance (Ciss)：
2120 pF
Polarity：
P-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市南科功率半导体有限公司	RM35P30DN	NK/南科功率	2025+	DFN3x3	986966	国产	询价
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更多RM35P100LD供应商更新时间2025-10-11 10:06:00

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