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RM30P55LD	文件：419.93 Kbytes Page：8 Pages	Marking：30P55；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
HM30P55	文件：553.72 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM30P55K	文件：530.35 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
NCE30P55K	文件：581.78 Kbytes Page：6 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P55Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-55A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE30P55L	文件：319.69 Kbytes Page：6 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P55Lusesadvancedtrenchtechnologyanddesign toprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceis wellsuitedforhighcurrentloadapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-55A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

更多RM30P55LD供应商更新时间2025-7-27 11:06:00