丝印：2309；Package：SOT-23-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS = -60V,ID = -1.9A RDS(ON)

文件：477.25 Kbytes 页数：6 Pages

RECTRON

丽正国际

MOSFET

Rectron

丽正国际

2.0 AMP. Schottky Barrier Rectifiers

文件：3.42097 Mbytes 页数：2 Pages

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一电子山东迪一电子科技有限公司

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.79989 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages

TOSHIBA

东芝