| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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TK2P60D | Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | |
TK2P60D | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | |
TK2P60D | Switching Regulator Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | |
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=-60V,ID=-1.9A RDS(ON) | RECTRON Rectron Semiconductor | RECTRON | ||
2.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers | DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司 | DYELEC |
详细参数
- 型号：
TK2P60D
- 功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4 Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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