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RM25P150LD	文件：647.66 Kbytes Page：7 Pages	丝印：25P150；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Vps =-150V,Ip =-25A Rd(on) 文件：647.66 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM25P150LD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET • VDS =-150V,ID =-25A\n• RDS(ON)<160mΩ @ VGS=-4.5V (Typ.=131mR)\n• Advanced trench process technology\n• High density cell design for ultra low On-Resistance;	Rectron 丽正国际	Rectron
TBH25P150RJE	文件：332.77 Kbytes Page：2 Pages	Low Thermal Resistance 文件：332.77 Kbytes 页数：2 Pages	OHMITE	OHMITE
TBH25P150RJE	文件：151.92 Kbytes Page：1 Pages	25 Watt TO220 Package Thick Film Power 文件：151.92 Kbytes 页数：1 Pages	OHMITE	OHMITE

技术参数

Id @ 25C (A)：
25 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
120 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
137 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
160 W
Vgs(th) (typ)：
1.9 V
Input Capacitance (Ciss)：
7650 pF
Polarity：
P-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-252

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