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RM20P100LD	文件：214.87 Kbytes Page：7 Pages	丝印：20P10；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS =-100V,ID =-20A RDS(ON) 文件：214.87 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM20P100LD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
TAH20P100RJE	文件：326.56 Kbytes Page：2 Pages	Frequency Conversion 文件：326.56 Kbytes 页数：2 Pages	OHMITE	OHMITE
TAH20P100RJE	文件：110.18 Kbytes Page：1 Pages	20 Watt TO220 Package Thick Film Power 文件：110.18 Kbytes 页数：1 Pages	OHMITE	OHMITE
TK20P100RJE	文件：492.13 Kbytes Page：1 Pages	20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film 文件：492.13 Kbytes 页数：1 Pages	OHMITE	OHMITE

技术参数

Id @ 25C (A)：
20 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
165 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
10 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
35 W
Input Capacitance (Ciss)：
1545 pF
Polarity：
P-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RM20P100LD供应商更新时间2026-1-19 14:01:00

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