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RM200N120HD	文件：789.25 Kbytes Page：8 Pages	丝印：200N120；Package：TO-263；120V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Smooth Switching Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% IS Tested, 100% Rg Tested Lead Free 文件：789.25 Kbytes 页数：8 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM200N120HD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
MIMMF200N120DA	文件：1.82916 Mbytes Page：3 Pages	1200V 200A FRED Module RoHS Compliant 文件：1.82916 Mbytes 页数：3 Pages	MICROSS	MICROSS
MIMMF200N120DK	文件：1.82916 Mbytes Page：3 Pages	1200V 200A FRED Module RoHS Compliant 文件：1.82916 Mbytes 页数：3 Pages	MICROSS	MICROSS
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技术参数

Id @ 25C (A)：
197 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
3.6 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
68 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
357 W
Vgs(th) (typ)：
3.0 V
Input Capacitance (Ciss)：
6427 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-263

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	RM200N40DF	NK/南科功率	2025+	PDFN5X6-8L	986966	国产	询价
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更多RM200N120HD供应商更新时间2026-1-30 14:01:00

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