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RM180N100AT2	文件：636.04 Kbytes Page：9 Pages	丝印：180N100；Package：TO-220；100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching Enhanced Body diode dv/dtcapability 100% UIS tested 100% Rg Tested Pb-free lead plating 文件：636.04 Kbytes 页数：9 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N100AT2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM180N100AT2V	文件：932.81 Kbytes Page：7 Pages	丝印：180N100；Package：TO-220；100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching Enhanced Body diode dv/dtcapability 100% UIS tested, 100% Rg Tested Pb-free lead plating 文件：932.81 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM180N100AT2V	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron

技术参数

Id @ 25C (A)：
180 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
2.5 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
106 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
341 W
Vgs(th) (typ)：
3.0 V
Input Capacitance (Ciss)：
7684 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
Through Hole
Package / Case：
TO-220
Certified (AEC-Q101...etc)：
AEC-Q101

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RM180N100AT2供应商更新时间2026-1-27 15:42:00

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