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RM130N30D3

丝印:DN30;Package:DFN-3x3-EP;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM130N30D3 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =130A RDS(ON)

文件:165.24 Kbytes 页数:6 Pages

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更多RM130N30D3供应商 更新时间2025-11-27 11:06:00