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RM130N30D3	文件：165.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：DN30；Package：DFN-3x3-EP；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM130N30D3 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =130A RDS(ON) 文件：165.24 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM130N30D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM15TB-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	MITSUBISHI 三菱电机上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	MITSUBISHI
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更多RM130N30D3供应商更新时间2026-1-21 11:06:00

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