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RM120N30D3	文件：236.51 Kbytes Page：7 Pages	丝印：CN30；Package：PDFN3X3-8L；N-Channel Enhancement MOSFET Feature 30V,120A Rds (on) 文件：236.51 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM120N30D3	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM15TB-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	MITSUBISHI 模块	Mitsubishi 三菱电机上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	Mitsubishi
RM1695	文件：0 bytes Page：0 Pages	REDMERE qfn-32	REDMERE 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	REDMERE
RM250UZ-24	文件：0 bytes Page：0 Pages	MITSUBISH 模块	MITSUBISH 上传：深圳市勤思达科技有限公司	MITSUBISH

技术参数

Id @ 25C (A)：
120 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
2.4 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
38 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
65 W
Vgs(th) (typ)：
1.7 V
Input Capacitance (Ciss)：
3500 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
SMD/SMT
Package / Case：
PDFN3X3-8L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RM120N30D3供应商更新时间2025-10-8 10:01:00

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