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RM115N65T2

丝印:115N65;Package:TO-220-3L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM115N65T2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Feature VDS =65V,ID =115A RDS(ON)

文件:310.54 Kbytes 页数:7 Pages

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更多RM115N65T2供应商 更新时间2025-10-12 11:06:00