高精度入耳检测+高精度电容触摸

RM1001A系列入耳+电容触摸芯片是一款适用于 TWS 耳机入耳、触摸检测的高性能触控芯片。可以检测金属极板与待测物体之间的电容量，并通过高性能 ADC 量化为数值，然后通过内部的接近检测算法判断物体与极板之间的距离，当距离达到某一数值时， RM1001A 会产生直接电平或事件编码脉冲波形输出。\n\nRM1001A内部的自校准电路可以消除Sensor端的固定距离误差。同时也可以支持多路信号输入，任意两通路信号可以配置成差分模式以抵消外部环境寄生电容以及温度的漂移。\n\nRM1001A 拥有丰富的可配置寄存器，可以针对不同电容结构和工作环境进行调整和校准，并根据用户需求实现高性能、低功耗的 • 2.4~5.5V 的外部单电源供应\n\n• 内建稳压电路\n\n• 多通道的电容感应输入通道，可以配置成差分模式\n\n• 电容检测分辨率 30aF\n\n• 内部提供可编程的电容偏移补偿电容，最大 50pF\n\n• 支持多种事件输出格式\n\n• 支持 I2C 进行参数调节\n\n• 通过 I2C 总线并配合 VPP 烧录电源引脚，支持对 EEPROM 进行程序烧写和升级\n\n• 入耳检测响应时间 50ms\n\n• 扫描模式： 5uA ~ 10uA / CH\n\n• 瞌睡模式： 3uA / CH\n\n• 封装形式： DFN-8（2x2）;

REALMAGIC

锐盟

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

文件：253.01 Kbytes 页数：6 Pages

TOSHIBA

东芝

NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier

Features • Ideal for LNA applications. e.g. Tuner, Wireless LAN, Cordless phone and etc. • High gain and low noise. MSG = 25 dB typ., NF = 0.65 dB typ. at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 0.9 GHz MSG = 22 dB typ., NF = 0.75 dB typ. at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 1.8 GHz MSG = 21 dB typ., N

文件：314.56 Kbytes 页数：17 Pages

RENESAS

瑞萨

NPN Silicon Germanium Transistor High Frequency Low Noise Amplifier

Features • Ideal for LNA applications. e.g. Tuner, Wireless LAN, Cordless phone and etc. • High gain and low noise. MSG = 25 dB typ., NF = 0.65 dB typ. at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 0.9 GHz MSG = 22 dB typ., NF = 0.75 dB typ. at VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 1.8 GHz MSG = 21 dB typ., N

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瑞萨