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RM003N600ES2	文件：161.06 Kbytes Page：5 Pages	Marking：127ZG；Package：SOT23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheRM003N600ES2isanenhancementN-channelmodePower FET,itusesadvancedtechnologytoprovidecustomersultra highswitchingspeedandultralowgatecharge. GeneralFeatures *RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
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制造商上传企业

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RM003N600ES2

文件：161.06 Kbytes

Page：5 Pages

Marking：127ZG；Package：SOT23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheRM003N600ES2isanenhancementN-channelmodePower FET,itusesadvancedtechnologytoprovidecustomersultra highswitchingspeedandultralowgatecharge. GeneralFeatures *RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON

RM003N600ES2

文件：300 bytes

Page：1 Pages

MOSFET;

RectronRectron Semiconductor

丽正

Rectron

技术参数

Id @ 25C (A)：
0.03 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
280000 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
1.0 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
0.3 W
Input Capacitance (Ciss)：
7.0 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
SMD/SMT
Package / Case：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	RM008-23P	CIMCX	0218+	BGA	311	现货	询价

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