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RM003N600ES2	文件：161.06 Kbytes Page：5 Pages	丝印：127ZG；Package：SOT23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM003N600ES2 is an enhancement N-channel mode Power FET, it uses advanced tec hnology to provide customers ultra high switching speed and ultra low gate charge. General Features * RDS(ON) 文件：161.06 Kbytes 页数：5 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM003N600ES2	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RM100DZ-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	MITSUBI 上传：谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	MITSUBI
RM15TB-H	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	Mitsubishi 三菱电机上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	Mitsubishi
RM1695	文件：0 bytes Page：0 Pages	qfn-32	REDMERE 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	REDMERE

技术参数

Id @ 25C (A)：
0.03 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
280000 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
1.0 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
0.3 W
Input Capacitance (Ciss)：
7.0 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
SMD/SMT
Package / Case：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市莱克讯科技有限公司	RM008-12P	CONEXANT	1923+	QFN	10000	只做原装特价	询价
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深圳市创盛芯科技有限公司	RM008-21P	CONEXANT	25+	QFN16	2	全新原装正品支持含税	询价
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更多RM003N600ES2供应商更新时间2025-11-26 18:15:00

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