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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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DualNon-InvertingPowerDriver | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
DUALNON-INVERTINGPOWERDRIVER | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement switch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=18.0mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0mΩ(TYP.)(VGS= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=18.0mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=3.5A) •LowCiss:Ciss=730pF(T | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=18.0mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=3.5A) •LowCiss:Ciss=730pF(T | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement switch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=18.0mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=28.0mΩ(TYP.)(VGS= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
N-Channel100-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
HighDefinitionAudioCodec | VIAVIA Technologies, Inc. 威盛电子威盛电子（中国）有限公司 | VIA | ||
HighDefinitionAudioCodec | VIAVIA Technologies, Inc. 威盛电子威盛电子（中国）有限公司 | VIA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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