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RLF4N65CT	文件：300.38 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features  VDS=650V, ID=4A  RDS(ON)=2.2Ω@VGS=10V(Typ.)  High Power and current handing capabilit y  Lead free product is acquired Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management 文件：300.38 Kbytes 页数：5 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
RMP4N65IP	文件：1.96573 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dv/dt capability 100% avalanche energy test 文件：1.96573 Mbytes 页数：11 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP4N65LD	文件：1.96573 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dv/dt capability 100% avalanche energy test 文件：1.96573 Mbytes 页数：11 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMP4N65TI	文件：1.96573 Mbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dv/dt capability 100% avalanche energy test 文件：1.96573 Mbytes 页数：11 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON

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