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RK7002BM	文件：302.66 Kbytes Page：6 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET 2.5VDriveNchMOSFET Features 1)Highspeedswiting. 2)Smallpackage(SST3). 3)Lowvoltagedrive(2.5Vdrive). Application Switching Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RK7002BM	文件：1.02295 Mbytes Page：3 Pages	丝印：7002；Package：SOT23；60V N-Channel Mosfet ~Application Directlogic-levelinterface:TTL/CMOS Drivers:relays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,etc. Batteryoperatedsystems Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
RK7002BM	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET; •2.5V驱动型 Nch 小信号MOSFET; 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RK7002BMHZG	文件：2.47908 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RKU；Package：SOT-23；Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RK7002BMT116	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管;	HXY MOSFETShenzhen Huaxuanyang Electronics Co., Ltd. 华轩阳电子深圳市华轩阳电子有限公司	HXY MOSFET
RK7002BMT116-ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET);	ElecSuperHunan Jingxin Microelectronics Technology Co., Ltd 静芯微湖南静芯微电子技术有限公司	ElecSuper

技术参数

封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-23
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
3
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
2.3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
2.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3
Power Dissipation (PD)[W]：
0.2
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.4 (t=1.2)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	RK7002BM	ROHM/罗姆	2019+PB	SOT-23	65000	原装正品可含税交易	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	RK7002BM	Rohm(罗姆)	24+	N/A	57048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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更多RK7002BM供应商更新时间2025-7-29 14:00:00

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