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RK3055E_1	文件：95.79 Kbytes Page：5 Pages	10V Drive Nch MOS FET 文件：95.79 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RK3288	文件：1.69138 Mbytes Page：72 Pages	RK3288 are low power, high performance processor for mobile phones 文件：1.69138 Mbytes 页数：72 Pages	ROCKCHIP 瑞芯微	ROCKCHIP
RK33	文件：75.27 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：75.27 Kbytes 页数：2 Pages	Sanken 三垦	Sanken
RK33	文件：43.34 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：43.34 Kbytes 页数：2 Pages	Sanken 三垦	Sanken
RK33	文件：28.01 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES 文件：28.01 Kbytes 页数：2 Pages	EIC	EIC
RK3399	文件：6.20831 Mbytes Page：824 Pages	Address Mapping 文件：6.20831 Mbytes 页数：824 Pages	ROCKCHIP 瑞芯微	ROCKCHIP
RK34	文件：28.01 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES 文件：28.01 Kbytes 页数：2 Pages	EIC	EIC
RK34	文件：135.97 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Schottky Barrier Diode 文件：135.97 Kbytes 页数：5 Pages	Sanken 三垦	Sanken
RK34	文件：43.34 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：43.34 Kbytes 页数：2 Pages	Sanken 三垦	Sanken
RK36	文件：92.59 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：92.59 Kbytes 页数：2 Pages	Sanken 三垦	Sanken

Nominal Frequency (Fn)：
80
Frequency Stability (FvT)：
±2 to 4 ppm
Temperature Range (°C)：
-40 to 85°C
Long Term Stability：
±4 ppm/7 years
Phase Noise (P/N)：
Max. P/N @100 MHz-110 dBc/Hz @100 Hz-130 dBc/Hz @1 kHz-140 dBc/Hz @10 kHz
Allan Deviation (ADEV)：
1s
COO：
FRA

更多RK3供应商更新时间2025-10-9 8:01:00