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RJP65M04DWS	文件：146.5 Kbytes Page：4 Pages	650V - 50A - IGBT Application: Inverter Features  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.55 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25C)  High speed Switching  Short circuit withstands time tsc = 5 s min. (at VCC  400 V , VGE = 15 V, Tj = 150 C) 文件：146.5 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJP65M04DWS-80	文件：147.35 Kbytes Page：4 Pages	Inverter 文件：147.35 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJP65M04DWS供应商更新时间2025-10-9 15:55:00