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RJH60D1DPE	文件：170.02 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.9Vtyp.(atIC=10A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJH60D1DPE

文件：170.02 Kbytes

Page：4 Pages

SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.9Vtyp.(atIC=10A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多RJP60D1DWT供应商更新时间2025-5-23 15:01:00

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