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RJP6085DPK

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • High speed switching • Low collector to emitter saturation voltage

文件:106.97 Kbytes 页数:6 Pages

RENESAS

瑞萨

RJP6085DPK_15

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件:124.44 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

RJP6085DPK

IGBTs

Renesas

瑞萨

RJP6085DPK-00#T0

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • Number of Channels:

    Single

  • VCES (V):

    600

  • IC (A) @25 °C:

    40

  • VCE(sat) (V):

    2.65

  • tf (μs) typ.:

    0.04

  • Pch (W):

    178.5

  • Mounting Type:

    Through Hole

  • Package Type:

    TO-3P

  • Production Status:

    Non-promotion

  • Downloadable:

    SPICE

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更多RJP6085DPK供应商 更新时间2026-1-27 14:02:00