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RJL6020	文件：334.59 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.21Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converters ·Switching 文件：334.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJL6020DPK	文件：317.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.21Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor Drive · DC-DC Converter · High Frequency Switching and Synchronous Rectification 文件：317.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJL6020DPK	文件：75.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching 文件：75.03 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL6020DPK	文件：231.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：231.18 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL6020DPK_10	文件：231.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：231.18 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL6020DPK_15	文件：231.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：231.18 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL6020DPK-00-T0	文件：75.03 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching 文件：75.03 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL6020DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
600
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
210
Ciss (pF) 典型值：
4750
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
200
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
系列名称：
HV-MOS+FRD
QG (nC) 典型值：
130

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更多RJL6020供应商更新时间2026-2-4 17:03:00

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