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RJL5014DPK	文件：297.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：297.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJL5014DPK	文件：82.43 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：82.43 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL5014DPK_11	文件：89.96 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：89.96 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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RJL5014DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

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更多RJL5014DPK供应商更新时间2026-2-1 14:03:00